STMicroelectronics STP6NC60

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

基本部件号

STP6N

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1020pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45.5nC @ 10V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

6A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

DS 击穿电压-最小值

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant