STMicroelectronics STP6NK70Z

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

700V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STP6N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8 Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

930pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 10V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏源击穿电压

700V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅