STMicroelectronics STP80NE03L-06

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

包装

Tube

操作温度

175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

30V

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

80A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STP80N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 5V

上升时间

260ns

Vgs（最大值）

±22V

下降时间（典型值）

165 ns

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

22V

漏极-源极导通最大电阻

0.009Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

雪崩能量等级（Eas）

600 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

700 pF

接通时间-最大值(ton)

405ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅