STMicroelectronics STP80NF55
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STP80NF55
2381-STP80NF55
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220
--最小包装量--
STP80NF55详情
STMicroelectronics STP80NF55重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STP80N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
80A
漏极-源极导通最大电阻
0.0065Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320A
DS 击穿电压-最小值
55V
雪崩能量等级(Eas)
1300 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
210W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STP80NF55拓展信息
STMicroelectronics
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