STMicroelectronics STP8NM60D

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

26 ns

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Number of Elements

1

系列

MDmesh™

包装

Tube

操作温度

-65°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

端子表面处理

TIN

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STP8N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

8A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

1Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅