STMicroelectronics STS12NF30L

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

9mOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

12A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS12

引脚数量

8

行间距

6.3 mm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 4.5V

上升时间

90ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

高度

1.25mm

长度

5mm

宽度

4.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅