STMicroelectronics STS15N4LLF5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Tc

Turn Off Delay Time

37 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ V

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

7.6mOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STS15

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.7m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1570pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.9nC @ 4.5V

上升时间

42ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

5.2 ns

连续放电电流(ID)

15A

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

63.6A

雪崩能量等级（Eas）

1090 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅