STMicroelectronics STS19N3LLH6

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.7W Ta

Turn Off Delay Time

37 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

STS19

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6m Ω @ 9.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1690pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 15V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

19A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0075Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76A

DS 击穿电压-最小值

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant