STMicroelectronics STS9NH3LL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ III

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS9NH

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

857pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4.5V

上升时间

14.5ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

9A

栅极至源极电压(Vgs)

18V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant