STMicroelectronics STSJ50NH3LL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 50W Tc

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

50A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STSJ50

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

965pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

上升时间

32ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

8.5 ns

连续放电电流(ID)

50A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12A

漏极-源极导通最大电阻

0.013Ohm

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

高度

1.65mm

长度

5mm

宽度

4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅