STMicroelectronics STT2PF60L
- 收藏
- 对比
STT2PF60L
2381-STT2PF60L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6
--最小包装量--
STT2PF60L详情
STMicroelectronics STT2PF60L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Tc
Turn Off Delay Time
42 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低阈值
电压 - 额定直流
-60V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
额定电流
-2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STT2P
引脚数量
6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
电压
60V
电流
2A
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
250m Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
313pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 10V
上升时间
34ns
Vgs(最大值)
±15V
下降时间(典型值)
34 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
漏极-源极导通最大电阻
0.3Ohm
漏源击穿电压
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STT2PF60L拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。