STMicroelectronics STT3PF20V

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-2.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STT3P

引脚数量

6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.6W

接通延迟时间

38 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

600mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

315pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.7nC @ 4.5V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

2.2A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.25Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.8A

高度

1.3mm

长度

3.05mm

宽度

1.75mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅