STMicroelectronics STT4PF20V

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Tc

Turn Off Delay Time

54 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STT4P

引脚数量

6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.6W

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

600mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

500pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.8nC @ 4.5V

上升时间

39ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

39 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.135Ohm

漏源击穿电压

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant