STMicroelectronics STT5PF20V
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STT5PF20V
2381-STT5PF20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
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MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6
--最小包装量--
STT5PF20V详情
STMicroelectronics STT5PF20V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOT-23-6
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Turn Off Delay Time
38 ns
Power Dissipation (Max)
1.6W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5A Tc
系列
STripFET™ II
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
80MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STT5P
引脚数量
6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 2.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
412pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.5nC @ 2.5V
上升时间
47ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
47 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
漏源击穿电压
20V
宽度
1.75mm
长度
3.05mm
高度
1.3mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STT5PF20V拓展信息
STMicroelectronics
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