STMicroelectronics STU27N3LH5

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

30W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ V

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STU27N

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 13.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

475pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.6nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±22V

连续放电电流(ID)

27A

漏极-源极导通最大电阻

0.028Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

108A

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant