STMicroelectronics STU40N2LH5

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

35W Tc

Turn Off Delay Time

17.6 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ V

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STU40

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12.4m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.3nC @ 5V

上升时间

13.6ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±22V

下降时间（典型值）

3.5 ns

连续放电电流(ID)

40A

栅极至源极电压(Vgs)

22V

漏极-源极导通最大电阻

0.0161Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

110 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant