STMicroelectronics STU6N65M2-S
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STU6N65M2-S
2381-STU6N65M2-S
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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PTD HIGH VOLTAGE
--最小包装量--
STU6N65M2-S详情
STMicroelectronics STU6N65M2-S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
60W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
系列
MDmesh™ M2
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.35 Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
226pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.8nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±25V
STU6N65M2-S拓展信息
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