STMicroelectronics STV160NF02LT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

引脚数

12

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

210W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

160A

基本部件号

STV160

引脚数量

10

JESD-30代码

R-PDSO-G10

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

210W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4800pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

160nC @ 10V

上升时间

800ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

240 ns

连续放电电流(ID)

160A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏极-源极导通最大电阻

0.0035Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

640A

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant