STMicroelectronics STV160NF03LAT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

引脚数

12

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

210W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

STV160

引脚数量

10

JESD-30代码

R-PDSO-G10

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

210W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

160nC @ 10V

上升时间

380ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

150 ns

连续放电电流(ID)

160A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

640A

雪崩能量等级（Eas）

330 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant