STMicroelectronics STW29NK50Z

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350W Tc

Turn Off Delay Time

129 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

500V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

31A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STW29N

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350W

接通延迟时间

44.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 15.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6110pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

266nC @ 10V

上升时间

41ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

33 ns

连续放电电流(ID)

31A

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

雪崩能量等级（Eas）

550 mJ

高度

20.15mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅