STMicroelectronics STW30N20

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

38 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

200V

额定电流

30A

基本部件号

STW30N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1597pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

15.7ns

下降时间（典型值）

8.8 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.075Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

雪崩能量等级（Eas）

140 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅