STMicroelectronics STW30NM60ND

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

FDmesh™ II

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

130mOhm

基本部件号

STW30N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

电压

600V

元素配置

Single

电流

34A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

190W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 12.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

75 ns

连续放电电流(ID)

25A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

900 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅