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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥84.427984
10
¥79.649041
100
¥75.140606
500
¥70.887363
1000
¥66.874873
STMicroelectronics STW72N60DM6AG
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- 对比
STW72N60DM6AG
2381-STW72N60DM6AG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
0603 (1608 Metric)
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Transistor MOSFET N-Channel 600V 56A 3-Pin TO-247 Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STW72N60DM6AG详情
STMicroelectronics STW72N60DM6AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0603 (1608 Metric)
安装类型
通孔
供应商器件包装
0603
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
RS73F1JRT
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
390W (Tc)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
600
Manufacturer
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
Tradename
MDmesh
RoHS
Details
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RS73-RT
包装
Tube
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
容差
±0.5%
终止次数
2
温度系数
±25ppm/°C
电阻
68 Ohms
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.2W, 1/5W
子类别
MOSFETs
技术
MOSFET (Metal Oxide)
失败率
-
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
42mOhm @ 28A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4444 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
98 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±25V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
-
特征
Automotive AEC-Q200
产品类别
MOSFET
座位高度(最大)
0.022 (0.55mm)
评级结果
AEC-Q200
STW72N60DM6AG拓展信息
STMicroelectronics
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