STMicroelectronics STW9NC80Z
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STW9NC80Z
2381-STW9NC80Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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9.4A, 800V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
--最小包装量--
STW9NC80Z详情
STMicroelectronics STW9NC80Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
功率耗散
190 W
接通延迟时间
35 ns
上升时间
16 ns
连续放电电流(ID)
9.4 A
栅极至源极电压(Vgs)
25 V
漏源击穿电压
800 V
漏源电阻
900 mΩ
辐射硬化
无
STW9NC80Z拓展信息
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