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500

￥30.296051
1000

￥28.581177

STMicroelectronics STWA38N65DM6AG

Name: STWA38N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STWA38N65DM6AG
Price: 36.08 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

STWA38N65DM6AG

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STWA38N65DM6AG

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor MOSFET N-Channel 650V 42A 3-Pin TO-247 Tube

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STWA38N65DM6AG STMicroelectronics Transistor MOSFET N-Channel 650V 42A 3-Pin TO-247 Tube

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技术参数

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STMicroelectronics STWA38N65DM6AG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-247-3
供应商器件包装

TO-247 Long Leads
Package

Bulk
Base Product Number

STWA38
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

STMicroelectronics
Power Dissipation (Max)

347W (Tc)
Product Status

活跃
Qualification

AEC-Q101
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600
Manufacturer

STMicroelectronics
Brand

STMicroelectronics
RoHS

Details
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

Automotive, AEC-Q101
包装

Tube
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

82mOhm @ 21A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.75V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2805 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

54.4 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

650 V
Vgs（最大值）

±25V
场效应管特性

-
产品类别

STMicroelectronics

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