STMicroelectronics STY100NS20FD

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

247

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

450W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MESH OVERLAY™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

200V

额定电流

100A

基本部件号

STY100

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

450W

接通延迟时间

42 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

360nC @ 10V

上升时间

140ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

140 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.024Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

750 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅