STMicroelectronics STY30NK90Z

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

247

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

450W Tc

Turn Off Delay Time

250 ns

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

900V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

26A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STY30N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

450W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

260m Ω @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

490nC @ 10V

上升时间

59ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

72 ns

连续放电电流(ID)

26A

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.26Ohm

漏源击穿电压

900V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅