ULN2003ANE4
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Texas Instruments ULN2003ANE4

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型号

ULN2003ANE4

utmel 编号

2502-ULN2003ANE4

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

16-DIP (0.300, 7.62mm)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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ULN2003ANE4
ULN2003ANE4 Texas Instruments Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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ULN2003ANE4详情

Texas Instruments ULN2003ANE4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    16-DIP (0.300, 7.62mm)

  • 引脚数

    16

  • 质量

    951.693491mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.1V

  • Number of Elements

    7

  • 操作温度

    -20°C~70°C TA

  • 包装

    Tube

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    16

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 端子位置

    DUAL

  • 基本部件号

    ULN2003

  • 引脚数量

    16

  • 输出电压

    50V

  • 极性

    NPN

  • 配置

    COMPLEX

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    7 NPN Darlington

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最大集极截止电流

    50μA

  • JEDEC-95代码

    MS-001BB

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1.6V @ 500μA, 350mA

  • VCEsat-最大值

    1.6 V

  • 高度

    5.08mm

  • 长度

    19.3mm

  • 宽度

    6.35mm

  • 器件厚度

    3.9mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Texas Instruments ULN2003ANE4.

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