Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y(F)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220NIS

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Current-Collector (Ic) (Max)

4A

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

8MHz

Power Dissipation (Max)

25W

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

频率

8MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

25W

功率 - 最大

25W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

30μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 300mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

频率转换

8MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅