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价格梯度

内地含税价

1

￥1.205861
10

￥1.137607
100

￥1.073211
500

￥1.012467
1000

￥0.955154

Toshiba Semiconductor and Storage RN1402,LF

Name: RN1402,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN1402,LF
Price: 1.21 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RN1402,LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN1402,LF

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini

起订量

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RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini

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RN1402,LF详情

技术参数

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型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN1402,LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
供应商器件包装

S-Mini
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2014
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
最大功率耗散

200mW
元素配置

Single
功率 - 最大

200mW
晶体管类型

NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
最大击穿电压

50V
频率转换

250MHz
电阻基(R1)

10 kOhms
电阻-发射极基极(R2)

10 kOhms
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage RN1402,LF.

数据表 :
RN1402,LF-Toshiba-datasheet-98445563.pdf

RN1402,LF拓展信息

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