注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥0.438579
500

￥0.322486
1000

￥0.268737
2000

￥0.246549
5000

￥0.23042
10000

￥0.214344
15000

￥0.207297
50000

￥0.203832

Toshiba Semiconductor and Storage RN1409,LF

Name: RN1409,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN1409,LF
Price: 0.44 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

RN1409,LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN1409,LF

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

单价: $

合计: ￥

库存:3000

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

RN1409,LF详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN1409,LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装

S-Mini
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
hFEMin

70
包装

Cut Tape (CT)
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

200mW
极性

NPN
功率 - 最大

200mW
晶体管类型

NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
频率转换

250MHz
发射极基极电压 (VEBO)

15V
电阻基(R1)

47 kOhms
连续集电极电流

100mA
电阻-发射极基极(R2)

22 kOhms
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

RN1409,LF拓展信息

热销零件