Toshiba Semiconductor and Storage RN1418(TE85L,F)
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RN1418(TE85L,F)
2541-RN1418(TE85L,F)
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
--最小包装量--
RN1418(TE85L,F)详情
Toshiba Semiconductor and Storage RN1418(TE85L,F)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
200mW
功率 - 最大
200mW
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
47 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
RN1418(TE85L,F)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba
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