Toshiba Semiconductor and Storage RN2112,LF(CT

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-75, SOT-416

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

hFEMin

120

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

100mW

极性

PNP

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

-50V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

200MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

电阻基(R1)

22 k Ω

连续集电极电流

-100mA

RoHS状态

符合RoHS标准