Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE,LF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

供应商器件包装

ES6

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

系列

U-MOSIII

已出版

2009

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

47mOhm @ 2A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

3.2A

输入电容

510pF

最大rds

47 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准