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500

￥20.349657
1000

￥19.19779

Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W,S4VX

Name: TK16A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TK16A60W,S4VX
Price: 24.24 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TK16A60W,S4VX

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TK16A60W,S4VX

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

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TK16A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

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TK16A60W,S4VX详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W,S4VX重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

16 Weeks
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3 Full Pack
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

40W Tc
Turn Off Delay Time

100 ns
操作温度

150°C TJ
包装

Tube
系列

DTMOSIV
已出版

2012
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
电容量

1.35nF
功率耗散

40W
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 7.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 790μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 300V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V
上升时间

25ns
Vgs（最大值）

±30V
下降时间（典型值）

5 ns
连续放电电流(ID)

15.8A
栅极至源极电压(Vgs)

30V
漏源击穿电压

600V
场效应管特性

超级交界处
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

TK16A60W,S4VX拓展信息

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