注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥28.751468
10

￥27.124023
100

￥25.588701
500

￥24.140284
1000

￥22.773853

Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W,S1VX

Name: TK16E60W,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TK16E60W,S1VX
Price: 28.75 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

TK16E60W,S1VX

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TK16E60W,S1VX

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3 Tab) TO-220

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

TK16E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3 Tab) TO-220

单价: $

合计: ￥

库存:85

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

TK16E60W,S1VX详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W,S1VX重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

16 Weeks
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Number of Elements

1
Power Dissipation (Max)

130W Tc
Turn Off Delay Time

100 ns
操作温度

150°C TJ
包装

Tube
系列

DTMOSIV
已出版

2013
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
元素配置

Single
功率耗散

130W
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 7.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 790μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 300V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V
上升时间

25ns
Vgs（最大值）

±30V
下降时间（典型值）

5 ns
连续放电电流(ID)

15.8A
栅极至源极电压(Vgs)

30V
漏源击穿电压

600V
场效应管特性

超级交界处
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

TK16E60W,S1VX拓展信息

热销零件