Toshiba Semiconductor and Storage TK39A60W,S4VX

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

200 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

DTMOSIV

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

80 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 19.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 1.9mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4100pF @ 300V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

上升时间

50ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

38.8A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

608 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准