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内地含税价

1

￥12.000432
10

￥11.321164
100

￥10.68034
500

￥10.075792
1000

￥9.505468

Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(Q,M)

Name: TK3A60DA(Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TK3A60DA(Q,M)
Price: 12 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TK3A60DA(Q,M)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TK3A60DA(Q,M)

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TOSHIBA TK3A60DA(Q,M) Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 2.4 V

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TK3A60DA(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TOSHIBA TK3A60DA(Q,M) Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 2.4 V

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Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(Q,M)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

52 Weeks
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3 Full Pack
引脚数

3
供应商器件包装

TO-220SIS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

30W Tc
操作温度

150°C TJ
包装

Tube
系列

π-MOSVII
已出版

2009
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
功率耗散

30W
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8Ohm @ 1.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

600V
Vgs（最大值）

±30V
连续放电电流(ID)

2.5A
阈值电压

2.4V
输入电容

380pF
漏源电阻

2.8Ohm
最大rds

2.8 Ω
达到SVHC

Unknown
RoHS状态

符合RoHS标准

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技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(Q,M).

数据表 :
Mosfets Prod Guide

TK3A60DA(Q,M)拓展信息

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