注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥1.223386
10

￥1.154138
100

￥1.088809
500

￥1.027179
1000

￥0.969037

Vishay SI2300DS-T1-GE3

Name: SI2300DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI2300DS-T1-GE3
Price: 1.22 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SI2300DS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2300DS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Single N-Channel 30 V 68 mO 3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

SI2300DS-T1-GE3 Vishay Single N-Channel 30 V 68 mO 3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

单价: $

合计: ￥

库存:18257

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SI2300DS-T1-GE3详情

技术参数

Vishay SI2300DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
引脚数

3
质量

1.437803 g
Case/Package

SOT-23-3
Fall Time

11 ns
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Schedule B

8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Turn Off Delay Time

15 ns
包装

Digi-Reel®
电阻

68 MΩ
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

1.7 W
通道数量

1
元素配置

Single
功率耗散

1.1 W
接通延迟时间

5 ns
上升时间

15 ns
漏源电压 (Vdss)

30 V
连续放电电流(ID)

3.1 A
阈值电压

600 mV
栅极至源极电压(Vgs)

12 V
漏源击穿电压

30 V
输入电容

320 pF
最大结点温度（Tj）

150 °C
漏源电阻

55 mΩ
最大rds

68 mΩ
高度

1.12 mm
辐射硬化

无
达到SVHC

Unknown
无铅

无铅

0个相似型号

SI2300DS-T1-GE3拓展信息

热销零件