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￥4.38808

Vishay SI2323DDS-T1-GE3

Name: SI2323DDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI2323DDS-T1-GE3
Price: 5.54 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI2323DDS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2323DDS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SI2323DDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 4.3 A, 20 V, 3-Pin TO-236 | Siliconix / Vishay SI2323DDS-T1-GE3

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SI2323DDS-T1-GE3 Vishay SI2323DDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 4.3 A, 20 V, 3-Pin TO-236 | Siliconix / Vishay SI2323DDS-T1-GE3

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SI2323DDS-T1-GE3详情

技术参数

Vishay SI2323DDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
引脚数

3
Case/Package

SOT-23-3
Fall Time

11 ns
RoHS

Compliant
Schedule B

8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080
Turn Off Delay Time

58 ns
包装

Cut Tape (CT)
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

1.7 W
通道数量

1
元素配置

Single
功率耗散

960 mW
接通延迟时间

8 ns
上升时间

22 ns
漏源电压 (Vdss)

-20 V
连续放电电流(ID)

-4.1 A
阈值电压

-1 V
栅极至源极电压(Vgs)

8 V
漏源击穿电压

-20 V
输入电容

1.16 nF
最大结点温度（Tj）

150 °C
漏源电阻

32 mΩ
最大rds

39 mΩ
高度

1.12 mm
辐射硬化

无
达到SVHC

无SVHC
无铅

无铅

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