SIA910EDJ-T1-GE3
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VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3

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型号

SIA910EDJ-T1-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SIA910EDJ-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4.5A; Idm: 20A

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SIA910EDJ-T1-GE3详情

VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Type of transistor

    N-MOSFET x2

  • Polarisation

    unipolar

  • Drain-source voltage

    12V

  • Drain current

    4.5A

  • Pulsed drain current

    20A

  • Gate-source voltage

    ±8V

  • Mounting

    SMD

  • Kind of package

    reel,

  • Kind of channel

    enhanced

  • Gross weight

    0.1 g

  • Power dissipation

    7.8W

  • Gate charge

    16nC

  • On-state resistance

    42mΩ

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SIA910EDJ-T1-GE3拓展信息

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