IRF9Z34STRLPBF
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Vishay Intertechnologies IRF9Z34STRLPBF

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型号

IRF9Z34STRLPBF

utmel 编号

2668-IRF9Z34STRLPBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,

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IRF9Z34STRLPBF
IRF9Z34STRLPBF Vishay Intertechnologies Description: Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,

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IRF9Z34STRLPBF详情

Vishay Intertechnologies IRF9Z34STRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Drain Current-Max (ID)

    18 A

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-263AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.14 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    72 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    370 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    88 W

  • 饱和电流

    1

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技术文档: Vishay Intertechnologies IRF9Z34STRLPBF.

IRF9Z34STRLPBF拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
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SIHG22N60E-GE3
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SI4866DY-T1-E3
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SIHG33N60E-GE3
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IRFP064PBF
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SI1013R-T1-GE3
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SUP40012EL-GE3
SUP40012EL-GE3

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IRFB9N60APBF
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SI2316BDS-T1-GE3
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