Vishay Intertechnologies IRFBF30PBF

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Gross Weight

0.31

Transport Packaging Size/Quantity

48*32*22.5/5000

Angle (degrees)

20°

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Part Package Code

TO-220AB

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Drain Current-Max (ID)

3.6 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

SW-180

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

回应时间

0.002 s

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

3.7 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A

DS 击穿电压-最小值

900 V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

额定电压

12 V