SI5515CDC-T1-GE3
SI5515CDC-T1-GE3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥7.667713

  • 10

    ¥7.23369

  • 100

    ¥6.824236

  • 500

    ¥6.437963

  • 1000

    ¥6.073547

Vishay Intertechnologies SI5515CDC-T1-GE3

  • 收藏
  • 对比

型号

SI5515CDC-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI5515CDC-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 1206-8, CHIPFET-8

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
SI5515CDC-T1-GE3
SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 1206-8, CHIPFET-8

单价: $

合计:

库存:23930

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SI5515CDC-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI5515CDC-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    polyolefin

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    2

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 1206-8, CHIPFET-8

  • Drain Current-Max (ID)

    4 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Weight gross

    1697.50

  • Transport packaging size/quantity

    46*46*58/9

  • Diameter before shrinkage

    4.8 mm

  • Diameter after shrinkage

    1.6 mm

  • Nominal diameter

    4.8 mm

  • Wall thickness before shrinkage

    0.48 mm

  • Shrinkage temperature

    100 °C

  • Maximum working voltage

    1500 V

  • 包装

    reel 100 m

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Heat shrink tube with adhesive layer

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 颜色

    green

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-C8

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 注意

    Possible deviation of shrinkage diameter up to +1.5 mm

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -55…+125 °C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.036 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    3.1 W

  • Shrinkage ratio

    3 : 1

  • 饱和电流

    1

  • 长度

    100000 mm

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SI5515CDC-T1-GE3.

SI5515CDC-T1-GE3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

SIHG33N60E-GE3
SIHG33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFP064PBF
IRFP064PBF

Vishay Intertechnologies

SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SUP40012EL-GE3
SUP40012EL-GE3

Vishay Intertechnologies

SI7112DN-T1-GE3
SI7112DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

Vishay Intertechnologies

SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z