Vishay Intertechnologies SI5853DDC-T1-E3
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SI5853DDC-T1-E3
2668-SI5853DDC-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
--最小包装量--
SI5853DDC-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI5853DDC-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
4 A
Operating Temperature-Max
150 °C
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
纯哑光锡
Reach合规守则
compliant
配置
SINGLE
极性/通道类型
P-CHANNEL
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.1 W
饱和电流
1
SI5853DDC-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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