SI5853DDC-T1-E3
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Vishay Intertechnologies SI5853DDC-T1-E3

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型号

SI5853DDC-T1-E3

utmel 编号

2668-SI5853DDC-T1-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI5853DDC-T1-E3 Vishay Intertechnologies Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI5853DDC-T1-E3详情

Vishay Intertechnologies SI5853DDC-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Drain Current-Max (ID)

    4 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    纯哑光锡

  • Reach合规守则

    compliant

  • 配置

    SINGLE

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    3.1 W

  • 饱和电流

    1

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SI5853DDC-T1-E3.

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