SI7143DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SI7143DP-T1-GE3

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型号

SI7143DP-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI7143DP-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

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SI7143DP-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Description: Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

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SI7143DP-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI7143DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • Housing material

    Nylon 66 UL94V-0

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

  • Drain Current-Max (ID)

    35 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Gross Weight

    1.91

  • Transport packaging size/quantity

    48*32*27/10000

  • Cable type

    interboard power cable (socket) series 1007

  • Wire cross-section

    0.129 mm2

  • Wire insulation color

    red, black

  • Wire length

    280 mm

  • Mating part

    W-02 pitch 2.54mm

  • Number of wires

    2

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • Connector type

    C3

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-XDSO-C5

  • Number of contacts

    2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • Operating temperature range

    0…+80 °C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.01 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    60 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    31.25 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    35.7 W

  • Connector pitch

    2.54 mm

  • 饱和电流

    1

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SI7143DP-T1-GE3.

SI7143DP-T1-GE3拓展信息

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