Vishay Intertechnologies SI7949DP-T1-GE3

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

2

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

Drain Current-Max (ID)

3.2 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XDSO-C6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.064 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

25 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

24.2 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3.5 W

饱和电流

1