SIA445EDJ-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SIA445EDJ-T1-GE3

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型号

SIA445EDJ-T1-GE3

utmel 编号

2668-SIA445EDJ-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.0165ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6

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SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.0165ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6

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SIA445EDJ-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SIA445EDJ-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 质量

    0.2 kg

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    1206

  • Case - mm

    3216

  • Capacitors series

    KGM

  • Gross weight

    0.055 g

  • Transport Package size/quantity

    28*25*20/50

  • Analog

    POS40

  • Execution

    tube

  • Melting Temperature

    183...240 °C

  • Soldering Temperature

    285...330 °C

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6

  • Drain Current-Max (ID)

    12 A

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    小概要

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • 包装

    coil

  • 容差

    ±5%

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Sn/Pb lead-tin solder with flux, soft

  • 电容量

    1µF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N6

  • 电介质

    X7R

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0165 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    50 A

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • Operating voltage

    50V

  • 直径

    0.6 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SIA445EDJ-T1-GE3.

SIA445EDJ-T1-GE3拓展信息

SI4160DY-T1-GE3
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IRF540PBF
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SQJ418EP-T1_GE3
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IRL640
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SIR626DP-T1-RE3
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SI2318DS-T1-GE3
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SQ1470AEH-T1_GE3
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SIUD403ED-T1-GE3
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IRFL9110TRPBF
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SI4848DY-T1-E3
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