Vishay Intertechnologies SIHB22N60E-GE3

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Drain Current-Max (ID)

21 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

169 ns

Turn-on Time-Max (ton)

90 ns

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.18 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

367 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

227 W

反馈上限-最大值 (Crss)

6 pF